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ST마이크로일렉트로닉스가 높은 전류 출력과 45ns의 전파지연을 갖춘 STDRIVEG600 하프-브리지 게이트 드라이버를 출시했다.
이 디바이스는 하이-사이드 및 로우-사이드 간의 출력이 밀접하게 매칭됐으며, GaN 인핸스먼트-모드 FET의 고주파수 스위칭을 처리할 수 있다.
STDRIVEG600은 최대 20V에서 N-채널 실리콘 MOSFET를 구동하는 데도 적합하기 때문에 GaN 디바이스에 최대 6V의 게이트 소스 전압을 유연하게 인가하여 낮은 Rds을 보장한다.
이외에 통합 부트스트랩 회로를 갖춰 부품원가를 최소화하고 보드 레이아웃을 간소화하는 데 도움을 준다.
이 회로는 동기식 MOSFET을 사용해 부트스트랩 전압이 로직 공급전압, VCC에 도달하게 함으로써 드라이버가 LDO를 사용하지 않고도 단일 전원에서 동작하게 해준다.
±200V/ns의 dV/dt 내성을 갖춘 STDRIVEG600은 까다로운 전기 조건에서도 신뢰할 수 있는 게이트 제어를 보장한다. 로직 입력은 3.3V까지 CMOS/TTL과 호환돼 호스트 마이크로컨트롤러나 DSP와 쉽게 인터페이스 하도록 지원한다.
하이-사이드 영역은 최대 600V까지 견디므로 최대 500V의 고전압 버스를 가진 애플리케이션에 사용할 수 있다.
출력에는 5.5A/6A 싱크/소스 기능이 있으며, 별도의 턴온 및 턴오프 핀을 제공하기 때문에 게이트 제어에 맞는 최적의 방법을 설계자가 선택할 수 있다. 뿐만 아니라 하이-사이드 및 로우-사이드 회로 모두 전원 스위치 소스에 대한 켈빈 연결을 지원해 제어 기능을 향상시켜준다.
로우-사이드 드라이버를 위한 전용 접지 및 공급전압 연결은 켈빈 연결로 안정적인 스위칭을 보장하고, 추가 절연 또는 입력 필터링 없이도 션트 저항을 전류 감지에 사용할 수 있다.
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